（独家）台积竹科6寸、8寸厂重生大计 自制秘密武器呼之欲出
- 陈玉娟／台北
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台积电日前宣布2年内逐步退出氮化镓（GaN）代工业务，位于竹科的6寸晶圆厂（Fab 2）相关产线，则会停止生产。此前，业界也盛传台积电的3座8寸厂（Fab 3/5/8）厂将进行整合，估会释出逾2~3成人力，调派至南科、高雄厂区支持，解决缺人问题，以及成本撙节与活化资产。
然据半导体设备业者透露，针对重整后的6寸与8寸厂，台积电已有最新规划，前者暂定改建为面板级封装相关的CoPoS厂区，后者则是出乎意料，将正式投入自制EUV光罩护膜（Pellicle），不需再高度仰赖ASML等供应链。
这意味着，台积电可透过自身研发与生产能力，全面提升EUV先进制程良率，创造最低成本、最高效益的制程和产品，除了能再拉开与对手的差距，自制EUV Pellicle也为设备与材料供应链，带来新应用商机。
台积加速推进2纳米以下先进制程，与CoWoS等先进封装技术，2025年初以来，也持续调整与活化现有晶圆厂区，除将机器设备出售予世界先进与恩智浦（NXP）在新加坡成立的合资公司VSMC，总价预估介于7,100万~7,300万美元，接着也将竹科6寸厂与8寸厂进一步整并。
熟悉设备供应链业者表示，台积退出GaN市场，凸显中国低价战已对第三类半导体发展，造成极大竞争压力，6寸厂也将改建为先进封装厂，暂以CoPoS为主，而最受关注的就是竹科8寸厂大幅调整，其中，Fab 3将正式投入自制EUV Pellicle。
半导体设备业界人士则指出，台积过去10年来大举逐年扩大资本支出，重金挺进下时代先进制程节点，以拉开与对手群的差距，台积目的已实现，先进制程战局已是「一个人的武林」，但随之而来的，是摩尔定律也已面临物理极限。
尽管导入EUV设备能有所突破，但采购成本高昂，目前EUV设备约在1.5亿美元，最新的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备价格则飙上3.5亿美元，且掌握在ASML手中。考量先进制程的成本大幅提高下，这也让台积电放缓High-NA EUV设备采购，同时评估其他可提升EUV制程良率、降低成本的路径。
其中，台积研发EUV Pellicle多年，盛传竹科3厂将正式投入自制EUV Pellicle，减少对ASML相关供应链的依赖，以自身研发与生产能力，全面提升EUV先进制程良率，创造最低成本、最高效益的制程和产品。
设备业者指出，EUV机台相较传统的深紫外光（DUV）设备，光罩及Pellicle等都须进一步调整，Pellicle一直是半导体制程中防止尘粒污染的关键保护机制。
进入EUV微影时代后，过去广泛使用的有机Pellicle，因无法兼具透光率与稳定性，已不适用，目前EUV制程大多采用「无pellicle」的光罩，导致必须频繁进行图样检查。一旦发现缺陷，不仅需修复或重制光罩，生产成本也大增并降低速度，也因此，包括ASML等半导体业者近年也投入EUV Pellicle研发，但由于技术难度高，尚未实现量产。
而台积电则已研发多年，评估EUV Pellicle对于7纳米以下制程生产效率与成本降低极为重要，因此近期决定正式加速自制计划。
熟悉半导体制程技术人士认为，相较于竞争对手仍高度依赖ASML的EUV设备推进先进制程技术，台积电自制EUV Pellicle，可将现有EUV制程再优化，拉升了生产良率与扩大产能，在成本结构上取得优势，且提升获利，进一步扩大与对手群的差距，
由于台积对于天价EUV新机设备的采购急迫性大减，此策略对于ASML恐怕不是好消息。不过，EUV Pellicle专利仍待进一步厘清确认，另对设备材料供应链而言，EUV Pellicle自制有机会带动新一代建置商机。
至截稿前，台积电发言体系并没有对于供应链说法的正式公开回应。
责任编辑：何致中
