从配角变核心！AI算力爆发驱动存储器大跃进

SEMICON Taiwan 2025 存储器高峰论坛，从芯片设计至系统整合串联完整生态系对话。DIGITIMES摄

在AI浪潮的推动下，存储器已从传统的配角跃升为驱动AI革命的核心。在2025年存储器高峰会上，三星、SK海力士、美光与联发科等产业巨头齐聚一堂，分享各自的技术布局与策略，揭示存储器产业如何应对AI时代的严峻挑战。

联发科数据中心与人工智能资深本部总经理Anki Nalamalpu指出，凭藉其在AI加速器领域的成功经验，联发科正积极拓展数据中心市场，并将其视为未来发展的关键。为此，联发科将专注于三大核心技术：与台积电紧密合作开发2.5D与3D封装技术；积极投入光学互连与高速以太网络技术；以及开发定制化的HBM与LPDDR解决方案。Nalamalpu预测，未来的AI芯片将朝向晶圆级系统（System on Wafer）发展，联发科将与生态系夥伴紧密合作，共同解决散热、功耗及可靠性等技术挑战，引领产业迈向全新纪元。

SK海力士HBM事业规划部副总裁崔俊龙（Jeff Choi）强调，AI模型复杂度的指数级成长，使数据中心的功耗与散热问题日益严峻。他指出，HBM已成为提升AI运算效能的关键，而优化其功耗效率至关重要。崔俊龙透露，若能将HBM功耗降低10%，整个数据中心的功耗可望减少2%。SK海力士最新发表的HBM3E，其带宽相较前代提升超过50%，功耗效率也改善了40%，能有效解决存储器带宽瓶颈，实现更复杂模型的运行，为AI基础设施注入新动能。

三星电子存储器产品规划副总裁Jangseok Choi认为，AI运算正遭遇摩尔定律、基础设施成本、功耗管理及工作负载管理等四大挑战。三星的应对策略是开发定制化HBM方案，针对不同客户的需求，提供最佳化的效能、功耗与成本设计。同时，三星也积极布局近存储器运算（PIM）技术，将运算能力整合至存储器内部，以解决数据传输瓶颈。此外，三星更提出分层存储架构，整合HBM、CXL等多元存储器，并推出体积仅为传统DIMM三分之一的模块化存储器「Silken 2」，为AI数据中心提供高效能解决方案。

美光企业副总裁Nirmal Ramaswamy博士指出，AI模型的爆炸性成长与复杂度，对存储器产业带来前所未有的挑战。美光致力于透过先进制程、新兴存储器和芯片级AI建模来推动技术创新。在DRAM制程方面，美光持续推进先进制程技术，同时超前部署3D DRAM，透过垂直堆叠的方式突破传统DRAM的原子极限，以实现更高容量和更佳效能。

此外，美光也看好HBM、LPDDR及CXL等新兴存储器技术，并认为其能为AI运算提供更全面的解决方案。特别是1T1C铁电存储器，具备效能与成本优势，有潜力成为CXL存储器扩充方案的选择。

尽管AI运算效能的成长速度远超过存储器带宽，且差距持续扩大，但随着高带宽存储器的成熟、3D堆叠技术的突破，以及新架构的导入，存储器的密度与能效正大幅提升，产品设计也加速迭代。存储器已不再是AI发展的被动元件，而是主动塑造AI运算未来的关键力量。各家大厂的积极投入与创新，预示着存储器产业将随着AI浪潮迈向全新的技术境界。