歐美IDM「Grid to Core」搶AI商機 台廠功率模組化升級成挑戰資料中心加速轉向800V HVDC和高密度DC-DC等供電架構,提高功率元件的耐壓與轉換效率要求,帶動高耐壓、低損耗與高頻操作碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)需求。如英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)和安森美(Onsemi)國際大廠採取「Grid to
DB HiTek首創8吋1,200V SiC一站式製程 目標2027年量產南韓晶圓代工廠DB HiTek完成碳化矽(SiC)產品在8吋晶圓上生產所需的製程技術驗證,以此確保可穩定生產耐受1,200V級高電壓的SiC功率半導體,並計劃2027年進入量產。綜合韓媒韓聯社、Herald經濟等報導,DB HiTek日前宣布,以8吋晶圓為基礎的1,200V SiC
GF獲美商務部3.75億美元補助 加速布建本土量子晶片生態系格羅方德(GlobalFoundries;GF)8日宣布,已與美國商務部晶片研究與開發辦公室(CHIPS Research and Development Office)達成最終協議,獲得3.75億美元研發補助資金,用以加速推展GF量子技術解決方案