HBM长约绑三星、SK海力士 长鑫存储趁势填补通用DRAM缺口 智能应用 影音
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HBM长约绑三星、SK海力士 长鑫存储趁势填补通用DRAM缺口

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    陈玟静综合报导

分析指出,三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)因与科技大厂的长期供应合约(LTA),将产能集中投入高带宽存储器(HBM)之际,中国长鑫存...

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