长鑫存储4F² DRAM量产领先三星2年 技术突袭改写存储器格局？
- 陈玟静／综合报导
长鑫存储日前宣称，将于2026年底前量产采用新一代4F²架构的DRAM。有观点认为，此举意在彰显中国半导体技术实力已逼近甚至超越三星电子（Samsung Electroni...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
议题精选－长鑫投出4F2 DDR5震撼弹
- 长鑫存储4F² DRAM量产领先三星2年 技术突袭改写存储器格局？
- 长鑫新DRAM技术获关键进展 2026年底新时代DDR5 RDIMM发力服务器市场
- 长鑫扩产备战本土需求 兆易创新2027年前4月DRAM交易估值增
- 评析：陈俊圣称中国DRAM产能「无限大」 全球存储器供需后势？
- 长鑫再砸人民币349亿元扩DRAM布局 加码次时代研发、后段测试
- 3D DRAM成中国存储器突破口 晶圆厂到设备端同步布局
- 存储器大缺引发长存、长鑫「龙头之争」 专利战一触即发
- 长鑫第五代G5平台投入量产 晶圆产出数量直追存储器三雄
- 中国DRAM追赶再进一步 长鑫存储成功导入High-k材料
