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每日椽真:台湾新创生态系指数陡升 | 华为麒麟重生、小米接力陪跑 | ASMLCEO同日背书两种说法

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    陈奭璁

Play Icon AI语音摘要 01:24 List Icon听更多

早安。

NVIDIA的Vera Rubin蓄势待发,即使尚未放量,服务器ODM厂8月营运依旧亮眼,业者表示,不论H系列或GB系列需求依旧强劲,虽然Vera Rubin放量时间将落在2027年,然对下半年服务器出货,依旧看旺,不过长短料现象也越来越明显,9月仍将延续

AI持续推升半导体产能扩张,104人力银行发布《2026半导体业人才报告书》,数据显示,2026年半导体每月徵才4.7万人,年增幅逾2成

ASML与台积电宣布发起合作,共同引领半导体产业转移升级至更大尺寸的极紫外光(EUV)微影光罩。不过稍后英特尔与三星也都有同一宣布,三家的立场有何差异?请见文末编辑手记。

以下是今日5则科技供应链重点新闻摘要:

台湾再向国际人才招手 外国人年薪600万1年即获永居

内政部日前公布最新户口统计指出,2026年7月台湾的新生儿约7,900人,户籍迁入者约650人,但7月死亡人数1.7万人。台湾人口自然减少情况严峻,和2025年7月相比又再减少10万人。行政院发布最新的施政报告表示,政府会友善移民环境,强化留用外国人才深耕台湾,并放宽跨国技术人力引进留任,缓解产业的劳力和人才缺口。

天使投资方案规模扩大10倍 台湾新创生态系指数陡升

国发会指出,2028年政府的新创投资金额目标是每年新台币1,500亿元。因此有必要联合经济部、文化部、数发部、环境部及国科会,合作推动中小企业、制造业、服务业、文化创意、AI、绿色成长及智能机器人等主题式投资方案。协助企业创新转型,带动产业升级。

观察:箝制反催中国造芯热 华为麒麟重生、小米接力陪跑

2020年9月,华为手机业务曾迎来一记重击。

当时美国收紧对华为的芯片管制,台积电在9月中旬停止向华为出货;当时华为消费者业务CEO余承东更直言,9月15日后,台积电将无法再替华为制造手机芯片。麒麟9000因此被视为华为高端手机芯片的一个重要分水岭。

泰国暂停49处数据中心开发案 强调不是要「关上投资大门」

和世界上许多国家一样,泰国民众担忧数据中心建设带来的能源与环境问题。日前泰国已宣布成立跨部会的政策委员会,制定数据中心管理框架,让各部门在决策时能有所依据。

泰国国家经济和社会发展委员会表示,暂停数据中心建设,就是为了让政府有时间制定新的规范,预计1个月内就会公布。

中国规划AI算力5年内扩6倍 加快建置十万卡以上AI丛集

中国AI算力建设进入加速大规模部署阶段。中国工业和信息化部(简称工信部)7日发布《信息通讯产业发展「十五五」规划》,提出2026~2030年信息基础设施累计投资人民币(下同)3.8万亿元,将部署万卡、十万卡及以上智算丛集,加快全国算力网建设,同时加强中国本土算力芯片适配度。

由工信部提出的五年计划中共有26项重点任务,其中「超前建设信息基础设施」列首项,未来将打造高效协同的算力设施,建立「枢纽—区域—边缘」多层次的全国算力基础设施体系,并依照AI应用场景需求部署算力。

编辑手记:ASML大尺寸光罩倡议是新成立,还是英特尔主导多年?

ASML 9 月 8 日在同一天发出三份联合新闻稿,分别与台积电、三星电子及英特尔代工宣布 High NA EUV 微影与大尺寸光罩的合作进展。三份稿对这个产业倡议的由来,给出了三种不同的说法,而 ASML CEO Christophe Fouquet 在其中两种说法上都具名背书。

台积电与 ASML 的公告指出,双方于 9 月 7 日、SPIE 光罩技术与极紫外光微影会议前夕,在美国蒙特雷成立这项推动 12 寸光罩的产业倡议,目标 2031 年建立试产线、2033 年让 12 寸 High NA 系统进入先进制程量产。

三星在同日宣布加入该倡议;而英特尔代工的公告则称,该公司三年多来一直主导大尺寸光罩格式的推动工作,与 ASML、光罩厂、自动化供应商、EDA 夥伴、材料供应商及芯片制造商合作建立所需标准与基础设施。Fouquet 在英特尔稿中肯定英特尔在 High NA 的「先驱角色」,以及其「长期支持 6x12 寸光罩演进」。

三份公告未说明这项倡议究竟是本周新成立,或是英特尔主导多年后在此时扩大并正式化。

三家在 High NA 的实际进度差距明显。英特尔代工是唯一揭露量产实绩者,称累计已处理逾 100 万片晶圆,涵盖机台验证、研发与 Intel 18A 部分层次的量产,用于代号 Panther Lake 的 Intel Core Ultra Series 3 处理器,套刻精度、产出率与稼动率均符合预期。

台积电表示将于 2030 年在先进制程导入 High NA 量产,初期仍使用 6 寸光罩,未揭露目前使用状况。

三星则称将于 2028 年在 DRAM 量产导入 High NA,为业界首见,是三份稿中唯一的存储器应用,时点也早于台积电的逻辑制程两年。

在 12 寸光罩到位之前,如何在现行 6 寸格式下使用 High NA,是三家立场分歧最明显之处。英特尔主张客户不必等待,可透过在 6 寸光罩内配置布局,或使用英特尔的拼接(stitching)能力与制程设计套件解决;台积电将 6 寸视为过渡,先用再转;三星未着墨。ASML 与英特尔将于会中连续发表两篇论文,讨论半场拼接的扫描机与光罩需求,以及拼接的量产化。

光罩格式的用词亦未统一。英特尔与 Fouquet 在英特尔稿中使用「6x12 寸」,台积电与三星两份稿则一律称「12 寸」。三份公告均未说明两者是否为同一规格。

三份稿的推崇语各自定制,没有一句共享。Fouquet 在三星稿中称三星「多年来是 ASML 最重要的创新夥伴之一」,在英特尔稿中肯定其先驱角色,在台积电稿中则对「半导体制造商、光罩供应商与夥伴」给予倡议的初期支持表示欣慰,未个别点名台积电——台积电在该稿中为共同发布方,而非受邀方。

此外,ASML 台湾分公司当日仅就台积电合作案发出完整中文新闻稿,三星与英特尔两案仅提供英文原稿。

 
责任编辑:陈奭璁