格罗方德酝酿大扩产　抢先台积电氮化镓技术授权进攻AI

格罗方德在台举办技术高峰会（GTS），多位高层分享技术布局，亚太区销售副总裁冯曾文（左二）强调将与台湾科技群山加强合作。韩青秀摄

         
台积电预计2027年逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries；GF）亚太区销售副总裁冯曾文表示，当时为第一家主动接洽并取得其GaN技术授权的晶圆代工厂，除了针对高压制程的专利与技术补充外，更重要的是让既有客户能「无痛移转」到自家平台进行生产，随着目前许多厂区产能已相当满，GF重新规划产品及产能配置，并将展开积极的全球扩产移动。

GF在台举办技术高峰会（GTS），冯曾文指出，GF过去在IBM微电子团队时期，已累积化合物半导体研发实力，2025年与台湾在地晶圆夥伴进行技术授权，则为了因应高压电源与高频射频（RF）市场的直接需求。

GF技术事业部门资深副总裁Tea Williams进一步表示：「没有数据中心就没有AI；而没有电源管理GaN，就不会有未来的数据中心。」

由于GaN元件能涵盖从800V高压一路到极低电压的多样环境，目前高压GaN已相对成熟，但在数据中心追求极致能效的趋势下，服务器电源架构正转向低电压GaN，GF现正携手业界解决在低压GaN大规模量产的可靠度难题，看好未来数据中心的成长需求。

GF也在矽光子领域的投入超过10年，Tea Williams指出，目前首要任务是提供多元封装型态，业界的目标是要尽可能降低传输能耗，甚至达到小于1 pJ/bit。

近来业界高度关注的近封装光学（NPO）与共同封装光学（CPO）的发展，Williams认为，NPO能够沿用现有成熟的产业生态系架构，在不颠覆既有系统供应链的前提下，显着提升效能，且其采用的200G/lane技术已进入量产爬坡阶段。

至于CPO，虽具备更优异的外型规格Form Factor与效能，但需要光学、电气、热力学与机械结构的高度精密整合，生态系将需数年持续发展。

对于400G的未来进展，未来的光互连解决方案不会是单一规格通吃，而是会形成涵盖不同速度、不同外型规格的多元产品组合，到了2029~2030年，可望导入的Micro LED等次时代光电技术，GF将矽锗（SiGe）与矽光子技术平台，提供灵活的异质整合选项，以支持AI运算架构在Scale-up与水平Scale-out的扩展。

冯曾文表示，台湾除了有「护国神山」，还有一整片「科技群山」，全球前十大IC设计公司中，台湾就占有三家，加上大量中大型科技业者，都是未来希望进一步合作的对象。

虽然GF并未在台湾设有晶圆厂，但台湾半导体公司本来做的就是全球生意，GF能提供的价值在于「技术分散」与「生产地域分散」。台湾客户要服务美国市场，可利用其在美国产能；亚洲市场则可连结新加坡厂与邻近封装供应链；若要进军欧洲，GF也在20多年前就在德国德勒斯登建立制造基地。

冯曾文也表示，为配合关键新产品与客户订单的长期成长，GF正积极推动全球性的扩产与产能重新配置，不仅限于美国本土厂区，包括新加坡等主要制造基地也进行扩充，将能与台湾的科技群山形成绝佳的互补效益，并透露接下来将推动相当积极的扩产与产能规划。

责任编辑：何致中