先推量产、后稳良率策略奏效 三星1c DRAM传跨越损益平衡点
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）传应用于第六代高带宽存储器（HBM4）的10纳米级1c DRAM，良率已改善至约60%水准，且已确保跨越损益平衡点，为支撑HBM4的量产奠定基础。业界分析，这样的结果证明三星在良率与速度之间选择「速度优先」...
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