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突破AI能耗和带宽墙　InP等化合物半导体抢军工和光通讯大饼

  • 刘千绫／台北

为满足高效发光和极高频传输的需求，磷化铟（InP）等化合物半导体跃居要角，电子散射较小、耗损低等材料特性，可突破能耗墙和带宽墙。

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