三星拟将HBM开发周期砍半 1年推出1代巩固AI存储器优势
- 陈玟静／综合报导
有消息称，三星电子（Samsung Electronics）将大幅缩短高带宽存储器（HBM）开发周期，从目前约2年压缩至1年以内。业界分析，三星此举旨在跟上AI半导体市场的爆炸性成长速度，透过整合存储器、晶圆代工、封装能力，在下一代HBM市场中掌握主导权。
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
