三星HBM4良率目标冲85% 得益于1c DRAM成功改善？
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）据传大幅上调2026年12层第六代高带宽存储器（HBM4）的良率目标，业界认为是因生产HBM4的1c DRAM良率改善工作已成功取得进展。有观点分析，提高后的良率目标具备可实现性，将有助提升三星盈利能力。
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
