三星HBM4E传采2纳米制程 以IDM优势抢攻AI半导体
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）传计划在下一代高带宽存储器（HBM）的基础裸晶（base die）上导入2纳米制程，以同时提升技术竞争力。业界认为，作为全球DRAM市占第一、晶圆代工市占第二的企业，三星正以其IDM企业的优势作为在AI半导体竞...
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