英飞凌推出整合式半桥解决方案CoolGaN Drive HB 600 V G5

英飞凌CoolGaN Drive HB 600 V G5产品系列通过整合式半桥解决方案，进一步提升氮化镓的易用性。英飞凌

全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN产品组合。4款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置，并在其中整合了两个600V氮化镓（GaN）开关，带有高低侧闸极驱动器与自举二极管，提供紧凑且散热优化的功率级，进一步降低设计复杂度。

透过将诸多关键功能整合到一个经过优化的封装中，该系列减少了外部元件数量、缓解了快速开关型GaN元件常见的PCB布局难题，协助设计人员缩短开发周期，同时实现了GaN技术的核心优势：更高的开关频率、更低的开关与导通损耗，以及更高的功率密度。

英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：「GaN正在变革电力转换领域。英飞凌的使命是透过可扩展且易于使用的解决方案，助力客户充分实现这一变革。这次新推出的整合式解决方案集高速GaN性能、高整合度和可靠性于一身，可协助设计人员加快开发进程、缩小系统体积，并提升效率，突破紧凑型电力电子产品的极限。」

该整合式半桥解决方案是针对低功耗马达驱动系统和切换式电源而设计，可在空间有限的设计中实现更小的磁性元件与被动元件，并在各种运作条件下维持高效率与优异的动态性能。该元件专为高速精密系统而设计，可实现超快速切换，传播延迟仅为98 ns，并且偏差极小，能有效支持高频率运作，同时保有可预测的时序表现。

为简化系统整合，该解决方案支持兼容标准逻辑电平的PWM输入，仅需单一12V闸极驱动供电即可运作。同时，具备快速UVLO恢复功能可帮助确保启动及电源瞬态事件中的稳定表现。为获得出色的散热性能，该产品采用6×8 mm² TFLGA-27裸露焊盘封装，可在众多应用场景中实现高效散热并支持多数应用中无需散热片的设计。

这些全新解决方案结合了英飞凌成熟的CoolGaN元件技术、系统级整合能力，以及深厚的电源转换专业知识，进一步强化了英飞凌在GaN市场的领先地位，使客户能够更加从容地采用GaN技术，并在工业和消费电子平台上实现高效设计的规模化应用。欲了解更多详情，敬请浏览官网页面。