从缺陷定位到可靠分析 Tescan加速先进封装失效分析

Tescan参展SEMICON Taiwan 2026，串联Micro-CT、气体辅助飞秒雷射、Plasma FIB-SEM与4D-STEM，缩短从缺陷定位到可靠分析的路径。Tescan

随着Chiplet、异质整合、先进封装、高带宽存储器（HBM）及宽能隙功率元件加速发展，半导体元件的结构尺寸持续扩大、材料堆叠日益复杂，关键缺陷却往往埋藏于封装或元件内部。对失效分析实验室而言，挑战已不只是取得更高分辨率，而是如何在非破坏定位、快速进入目标区域、精准样品制备与纳米尺度分析之间，建立可追溯且高效率的完整流程。

Tescan将于2026年9月2至4日参加SEMICON Taiwan，在南港展览馆2馆4楼R8201摊位，以「Streamlined Failure Analysis for Advanced Packaging」为主题，展示由Micro-CT、气体辅助飞秒雷射、Plasma FIB-SEM与4D-STEM所构成的关联式工作流程。

从四个阶段缩短time-to-answer

此流程以Inspect、Access、Prepare、Analyze四个阶段串联分析任务。首先，Tescan UniTOM HR 2 Micro-CT透过非破坏3D成像协助观察封装内部结构、翘曲与潜在缺陷，让工程师在破坏样品之前掌握目标区域。完成定位后，Tescan FemtoChisel以气体辅助飞秒雷射快速移除大量材料并进入埋藏区域，再由Tescan SOLARIS X 2 Plasma FIB-SEM在实时SEM影像导引下进行精准截面与样品制备，最后透过Tescan TENSOR 4D-STEM取得纳米尺度的结构与材料信息。

整合的价值不只在于单一工具速度，而在于不同阶段之间能保留缺陷位置与样品脉络，减少反覆定位、重工及不必要的转移风险。对研发、制程工程、良率提升及高产量制造环境而言，这有助于缩短从异常发现到根因判读的时间，并提高后续分析结果的可信度。

飞秒雷射成为大型、复杂样品的流程加速器

先进封装结构与多材料堆叠使传统样品制备面临处理量、加工时间及热／机械损伤控制等限制。FemtoChisel针对半导体样品制备与失效分析设计，可支持截面制备、去封装、去层、腔体制备及大体积材料移除。气体辅助飞秒雷射加工可提升材料移除效率，同时维持后续高解析SEM、FIB-SEM或TEM/STEM表徵所需的结构完整性与表面品质。

FemtoChisel论坛演讲：From Hours to Minutes

2026年9月4日15:05–15:30，Tescan半导体解决方案业务发展总监Hervé Macé将于南港展览馆1馆4楼 402会议室举行的「半导体先进检测与计量国际论坛」发表演讲：Tescan FemtoChisel: From Hours to Minutes: High-Throughput Gas-Assisted Femtosecond Laser Workflows for Advanced Semiconductor Analysis and Characterization演讲将说明气体辅助飞秒雷射如何因应更大型的结构、复杂材料堆叠与快速周转需求，支持截面制备、去封装、去层、腔体制备及大体积材料移除，同时维持后续高解析表徵所需的样品品质。

以现场互动连结技术与应用

除工作流程展示与论坛演讲外，Tescan将于2026年9月2至3日上午10:00起在R8201摊位举办SPIN. MATCH. ENJOY.活动。参观者可转动轮盘，将不同Tescan技术与专属特调配对，快速了解非破坏检测、雷射存取与FIB-SEM样品制备在整体流程中的角色，并与现场应用专家交流实际分析需求。