英飞凌推出业界首款基于CoolSiC G2技术的碳化矽双向开关

英飞凌推出业界首款基于CoolSiC G2技术的碳化矽双向开关。英飞凌

全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC G2技术平台打造的碳化矽（SiC）双向开关（BDS）。

该产品采用垂直整合双芯片共汲极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一元件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。

750V CoolSiC BDS具备业界领先的RDS(on) × Qfr、优异的RDS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低开关损耗与导通损耗，实现超高速、高效的开关动作。

在25℃条件下，典型闸极值电压VGS(th)为4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增强寄生导通抗扰性；扩展后的闸极偏压容限可支持-11V至25V瞬态电压，能够提升设计裕量并增强兼容性。该产品额定dv/dt可达200V/ns，可在不影响耐用性的前提下支持高频设计。该产品系列阻值覆盖范围为14mΩ至66mΩ。

该产品专为高要求的电源系统而设计，提供840：V (BR)DSS，为超过500V的母线电压时提供充足的裕量。此外，它还具有经验证的雪崩耐受性、100小时内高达200°C 的超载耐受能力和2µs的短路耐受时间。这些元件能够有效保护系统，免受实际环境中电压突波、能量脉冲、瞬态应力以及浪涌电流的影响，确保系统能够长期稳定运行，并具备容错能力。

750V CoolSiC BDS扩展了英飞凌‌顶部散热‌产品家族，可适配当下要求最严苛、发展迅速的应用场景，支持原生液冷设计，通过拓扑层面的设计反覆运算，实现了全新的能效水准。

在汽车应用中，该产品非常适用于车载充电器（OBC）、电动汽车充电以及eFuse和预充电电路。与CoolSiC H-DPAK半桥器件配合使用，可帮助设计平顺过渡到基于SiC技术的单级车载充电器，让设计不仅兼具高功率密度和高成本效益，而且节省空间。

在工业应用领域，它为快速反覆运算的各类应用场景带来了革新：1. 配备原生液冷的HVDC AI电源。
2. 户用太阳能与储能系统。3. 医院及现场数据中心的HVAC系统。4. 适用于电动垂直起降飞行器（eVTOL）的电流源逆变器（CSI）驱动。5. 电力及IT机架中的HVDC保护。6. 人形机器人群集快速充电。

该产品已开始提供样品。如欲了解更多信息，敬请浏览官网。