Neo最新3D X-DRAM设计 容量为传统DRAM技术10倍
- 涂翠珊／综合外电
美国3D存储器业者Neo Semiconductor（以下简称Neo）发表「1T1C」、「3T0C」两款全新3D X-DRAM设计，概念验证测试芯片预计2026年推出。新款3D X-DRAM单模块容量高达512Gb，为传统DR...
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