ST推出新款GaN半桥闸极驱动器 强化消费性与工业应用的电源转换与马达控制效能

意法半导体推出新款GaN半桥闸极驱动器，强化消费性与工业应用的电源转换与马达控制效能。意法半导体

服务横跨多重电子应用领域之全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM）最新推出适用于氮化镓（GaN）应用的高压半桥闸极驱动器，进一步强化设计弹性与功能，有助提升电源转换效率与系统可靠性。

全新STDRIVEG610与STDRIVEG611提供两种选择，协助设计者根据应用需求管理GaN元件，应用范畴涵盖消费性与工业领域的电源转换与马达控制，提升电源效率、功率密度与整体耐用性。

STDRIVEG610支持300ns的极短启动时间，适合应用于LLC或ACF等转换器架构，可在突发模式（burst mode）下确保精准控制的关断时间。

STDRIVEG611则针对马达控制中的硬切换应用进行设计，新增高侧欠压锁定（high-side UVLO）与智能过电流关断保护等功能。

两款驱动器均支持硬切换与软切换架构，内建交叉导通防护机制。STDRIVEG610可提升电源转接器、充电器与功率因数修正（PFC）电路的效能；STDRIVEG611则可同时节省电路板空间并提高效率与可靠性，适用于家电马达、帮浦与压缩机、工业伺服驱动器与工厂自动化等应用。

为简化设计，两款装置内建高侧自举二极管，并整合高侧与低侧6V线性稳压器，具备高电流驱动与极短的传递延迟，两者延迟差异控制在10ns以内。每颗驱动器提供独立的下拉（sink）与上拉（source）驱动路径，吸收端具备2.4A/1.2Ω参数，驱动端为1.0A/3.7Ω，有助于达成最佳驱动效率。

内建的UVLO保护机制可防止上下两组600V GaN功率开关在效率不佳或不安全的条件下运作，提升系统稳定性。两款驱动器也具备过温保护功能，并具备高达±200V/ns的高dV/dt杂讯耐受能力。输入脚位支持3.3V至20V的宽电压范围，可简化控制器界面设计。

装置亦设有待机脚位，可在系统闲置或进入突发模式时降低耗电，并配置独立电源接地端，方便进行Kelvin源极驱动或连接电流分流电阻。

STDRIVEG610与STDRIVEG611除了透过高度整合的功能协助降低BOM成本，亦采用精巧的4mm x 5mm QFN封装，可节省PCB空间。两款产品目前已进入量产阶段。

意法半导体亦同步推出EVLSTDRIVEG610Q与EVLSTDRIVEG611评估板，加速产品开发流程。两款评估版可立即使用，整合600V高速半桥闸极驱动器与两颗ST自家SGT120R65AL增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。欲了解更多信息，请造访官网。