英飞凌12寸氮化镓生产路线图取得进展 稳坐GaN领先企业地位

Infineon GaN300 technology。英飞凌

氮化镓（GaN）半导体需求持续成长，英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）掌握此一趋势，巩固其作为GaN市场领先垂直整合制造商（IDM）的地位，宣布其在12寸晶圆上的可扩展GaN生产进度正按计划进行。预计2025年第4季度将向客户提供首批样品，英飞凌有望扩大客户基础，进一步巩固其作为GaN领先企业的地位。

作为电源系统领域的领导者，英飞凌专精于三种材料的相关技术：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）。

凭藉更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，氮化镓半导体可实现更精简的设计，从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人，以及太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。

英飞凌氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：「英飞凌全面扩大的12寸GaN生产规模将协助我们更快地为客户提供更高价值的产品，同时推动Si和GaN同类产品的成本接近性。在英飞凌宣布突破12寸GaN晶圆技术近一年后，我们很高兴看到我们的时程进展顺利，并且业界已经认可英飞凌GaN技术在我们作为IDM战略优势下所发挥的重要作用。」

英飞凌的生产策略主要依据IDM模式，即拥有从设计、制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。公司的内部生产策略是市场上的一个关键差异化因素，具有多重优势，如能提供更高品质的产品、更快的产品上市时间以及出色的设计和开发灵活性。英飞凌致力于为氮化镓客户提供支持，并可扩大产能以满足他们对可靠的GaN电源解决方案的需求。

凭藉其技术领先优势，英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出12寸GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的8寸晶圆相比，12寸晶圆上的芯片生产在技术上更加先进，效率也显着提高，因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高2.3倍。

这些增强的能力，加上英飞凌强大的GaN专业团队，以及业界最广泛的知识产权组合，恰好可以满足基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、运算和通讯等领域快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及马达控制系统等。

市场分析师预测， GaN在功率应用领域的营收将以每年36%的速度成长，到2030年达到约25亿美元。英飞凌拥有专有的生产能力和强大的产品组合，2024年发布了40多款新型GaN产品，这使其成为寻求高品质GaN解决方案客户的首选合作夥伴。